磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
刘亮 尹军舰 李潇 张海英 李海鸥 和致经 刘训春
中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
针对磷化铟（InP）基高电子迁移率晶体管（HEMT），进行了Ni／Ge／Au和Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au两种金属结构快速退火（10～40s）和长时间合金（10min）的实验．通过研究比较，得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法．利用Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au结构，在270℃下合金10min形成了典型值．0.068Ω·mm的接触电阻． (共4页)
学科分类:
TN305[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备]
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