高性能1mmSiC基AIGaN／GaN功率HEMT研制
罗卫军[1,2] 陈晓娟[2] 李成瞻[2] 刘新宇[2] 和致经[2] 魏珂[2] 梁晓新[2] 王晓亮[1]
[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
在6H-SiC衬底上，外延生长了AlGaN／GaNHEMT结构，设计并实现了高性能1mmAlGaN／GaN微波功率HEMT，外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长．测试表明，该1mm栅宽器件栅长为0．8,um，输出电流密度达到1．16A／mm，跨导为241mS／mm，击穿电压〉80V，特征频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz．5.4GHz连续波测试下功率增益为14．2dB，输出功率达4．1W，脉冲条件测试下功率增益为14．4dB，输出功率为5．2W，两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．
学科分类:
TN325.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按材料分 > 化合物晶体管、砷化镓晶体管]
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