SOI光波导高速电光调制器的研究进展
黄庆忠 余金中
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083
摘 要:
介绍了不同截面大小的SOI（silicon—on—insulator）波导单模条件，详细描述了几种降低传输损耗，消除偏振相关，提高耦合效率的技术手段．分析比较了一种带有MOS（metal—oxide—semiconductor）电容结构和一种具有微环结构的高速电光调制器，其调制频率分别达到10和1．5GHz． (共6页)
学科分类:
TN252[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 波导光学与集成光学 > 光波导] TN256[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 波导光学与集成光学 > 集成光学器件]
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