磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

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摘　　要:

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响，包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响，坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等．对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析．在此基础上获得了“开盒即用（EPI-READY）”、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片． (共7页)