毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

陈新宇 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 李拂晓

南京电子器件研究所,南京210016

摘  要:

采用GaAs pin二极管,完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15-20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W,GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向pin二极管材料结构,Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作.

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