n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明
郭辉 张义门 张玉明
西安电子科技大学微电子学院、教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安710071
摘 要:
通过在Si面P型4H—SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成n阱．Ti和Ni依次淀积在有源区的表面，金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相．XEDS的结果表明在Ni2Si／SiC界面处存在一层无定型C．去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属，不经退火即可形成欧姆接触．同时，注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω／□．结果表明，合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位（Vc）．C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用．
学科分类:
TN405[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 一般性问题 > 制造工艺]
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