HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能
魏同波 马平 段瑞飞 王军喜 李晋闽 刘喆 林郭强 曾一平
中国科学院半导体研究所,北京100083
摘 要:
采用自制的立式HVPE设备，在GaN／蓝宝石复合衬底上生长了GaN厚外延膜，利用AFM，SEM，XRD，RBs／Channeling，CL，PL以及XPS等技术分析了厚膜的结构和光学性能．结果表明，外延层表面具有台阶结构，接近以层流生长方式二维生长，一些六角形的坑出现在膜表面，坑区具有很强的发光．腐蚀试验显示EPD仅8×10^6cm^-2；XRD和RBS／channeling表明GaN膜具有较好的晶体质量；PL结果也证明外延层具有高的质量，出现了尖锐的带边峰，半高宽仅67meV，同时出现了黄带和红外带，这些带的出现可能是由本征缺陷和C，O等杂质引起的． (共5页)
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