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电子电信 >> 半导体学报 >> 2007年28卷1期 >> 摘要

低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移

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周静涛 朱洪亮 程远兵 王宝军 王圩

中国科学院半导体研究所,北京100083

半导体学报

《半导体学报》

2007年第28卷第1期

摘　　要:

提出了采用低能氦离子注入多量子阱（MQW）材料和合适的快速退火条件，实现了MQW带隙波长的蓝移．用这种材料制作了FP腔激光器，与未注入器件相比，实现了37nm的激射波长蓝移．

关键词:

He^＋离子注入低能量量子阱混杂蓝移 FP腔激光器

学科分类:

TN047[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 一般性问题 > 材料]

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