直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长
符黎明 杨德仁 马向阳 郭杨 阙端麟
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
摘 要:
重点研究了直拉（CZ）硅中氧沉淀在快速热处理（RTP）和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为．实验发现，RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式，比常规炉退火消融氧沉淀更加显著．硅片经RTP消融处理后，在氧沉淀再生长退火过程中，硅中体微缺陷（BMD）的密度显著增加，BMD的平均尺寸略有增加；而经过常规炉退火消融处理后，在后续退火过程中，BMD的密度变化不大，但BMD的尺寸明显增大．氧沉淀消融处理后，后续退火的温度越高，氧沉淀的再生长越快． (共4页)
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