PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响

评论推荐

张群社[1] 陈治明[1] 李留臣[1] 杨峰[2] 蒲红斌[1] 封先锋[1]

[1]西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048 [2]西安交通大学,西安710048

摘　　要:

研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响．分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同，并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系．数值计算和实验结果均表明，生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌；粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长．

相关文章:

主题相关 参考文献(9篇)　被引情况(1篇)　耦合文献(3篇)　

参考文献

更多文章搜索　
中国业务群个人门户,免费下载!
相关学者+更多
征稿启事
相关文章+更多
社区热帖+更多
天元数据 维普资讯 版权所有 Copyright © 2001-2008 cqvip.com Inc. All rights reserved.
渝ICP证 B2-20050021　　违法和不良信息举报中心
建议使用：1024x768分辨率，16位以上颜色