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SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应

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刘书焕[1,2] 林东生[2] 郭晓强[2] 刘红兵[3] 江新标[2] 朱广宁[2] 李达[2] 王祖军[2] 陈伟[2] 张伟[4] 周辉[2] 邵贝贝[1] 李君利[1]

[1]清华大学工程物理系,北京100084 [2]西北核技术研究所,西安710613 [3]中国电子科技集团第13研究所,石家庄050051 [4]清华大学微电子研究所,北京100084

《半导体学报》

2007年第28卷第1期

摘　　要:

测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化．在反应堆1×10%13cm^-2的脉冲中子注量和256.85Gy（Si）γ总剂量辐照后，SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20％．辐照后基极电流、结漏电流增大，集电极电流、击穿电压减小．特征截止频率fT基本不变，fmax略有减小．初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理． (共6页)