复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管
于晓东 韩军 李建军 邓军 林委之 达小丽 陈依新 沈光地
北京工业大学光电子技术实验室,北京100022
摘 要:
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，用LP—MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构，测量了其白光反射谱，实验与模拟结果基本符合．制备了采用Al0.6Ga0.4As／AlAs复合DBR的LED器件，未封装输出光功率为2．3mw，外量子效率为5．6％，发光效率可达12 lm／W，比常规DBR器件提高了35％．验证了复合DBR与常规DBR相比，可以大幅度提高AAlGaInP红光LED的出光效率．
学科分类:
TN312.8[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体二极管 > 二极管：按结构和性能分 > 发光二极管]
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