学术
半导体学报
Chinese Journal of Semiconductors
16开
主管单位：中国科学院
主办单位：中国电子学会 中国科学院半导体研究所
主 编：王守武
地 址：北京912信箱
邮政编码：100083
电 话：010-82304277
电子邮件：cjs@semi.ac.cn
国际标准刊号：ISSN 0253-4177
国内统一刊号：CN 11-1870/TN
邮发代号：2-184
单 价：35
定 价：420
获奖情况
90年获中科院优秀期刊二等奖
92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署全国优秀期刊评比三等奖
97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖
中国期刊方阵“双效”期刊
国外数据库收录
俄罗斯文摘杂志
美国工程索引
美国工程索引
美国化学文摘
美国剑桥科学文摘：电子与通讯文摘
美国剑桥科学文摘：计算机与信息系统文摘
英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库
本报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新...
更多简介 >>>半导体学报 2007年 第01期目录
研究快报
利用水平热壁CVD法生长的3C—SiC／Si的均匀性 李家业 赵永梅 刘兴昉 孙国胜 罗木昌 王雷 赵万顺 (1)
n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明郭辉 张义门 张玉明 (5)
SiC MESFET微波功率器件的研制 柏松 陈刚 张涛 李哲洋 汪浩 蒋幼泉 韩春林 (10)
PDSOI nMOSFETs关态击穿特性毕津顺 海潮和 (14)
研究论文
HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能 魏同波 马平 段瑞飞 王军喜 李晋闽 刘喆 林郭强 (19)
10Gb／sGaAs PHEMT电流模跨阻抗光接收机前置放大器焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 (24)
9．0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化李路 刘峰奇 邵烨 刘俊岐 王占国 (31)
一种可编程电压基准源设计与实现张科 郭健民 孔明 李文宏 (36)
GaN／AIN量子点结构中的应变分布和压电效应梁双 吕燕伍 (42)
低能氦离子注入引入的量子阱混杂带隙波长蓝移周静涛 朱洪亮 程远兵 王宝军 王圩 (47)
直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长符黎明 杨德仁 马向阳 郭杨 阙端麟 (52)
蓝宝石衬底上水平生长ZnO纳米线及紫外敏感性能研究邓宏 唐斌 程和 韦敏 陈金菊 (56)
PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响张群社 陈治明 李留臣 杨峰 蒲红斌 封先锋 (60)
磁场中硅熔体的磁黏度张雯 徐岳生 王胜利 (65)
高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性陈杰智 施毅 濮林 龙世兵 刘明 郑有炓 (69)
钝化与场板结构对AlGaN／GaN HEMT电流崩塌的影响马香柏 张进城 郭亮良 冯倩 郝跃 (73)
SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应 刘书焕 林东生 郭晓强 刘红兵 江新标 朱广宁 李达 (78)
共振隧穿晶体管的反相器统一模型 郭维廉 牛萍娟 苗长云 于欣 王伟 梁惠来 张世林 (84)
等离子体对90nm工艺MOS器件的损伤唐瑜 郝跃 孟志琴 马晓华 (92)
高效率n—nc—Si：H／p—C—Si异质结太阳能电池张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴 (96)
复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管 于晓东 韩军 李建军 邓军 林委之 达小丽 陈依新 (100)
408nm InGaN／GaN LED的材料生长及器件光学特性王晓华 展望 刘国军 (104)
高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制李璟 马骁宇 王俊 (108)
新型MEMS微针设计及其力学性能孙潇 贾书海 朱军 李以贵 (113)
一种长波长MOEMS可调谐滤波器的结构设计和分析吴旭明 王小东 何国荣 王青 曹玉莲 谭满清 (117)
Ar^＋刻蚀对InGaAs，n—InP和p-InP表面损伤及消除吕衍秋 越方禹 洪学鸥 陈江峰 韩冰 吴小利 龚海梅 (122)
径向三重流MOCVD反应器壁面温度的数值模拟聂宇宏 刘勇 姚寿广 (127)
RF—CMOS建模：面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发刘军 孙玲玲 徐晓俊 (131)
SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟刘征 孙永节 李少青 梁斌 (138)
无
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