电子电信 >> 半导体学报 >> 2007年28卷3期 >> 摘要

热丝法氢处理多晶硅锗薄膜

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张建军 胡增鑫 谷士斌 赵颖 耿新华

南开大学光电子研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

《半导体学报》

2007年第28卷第3期

摘　　要:

优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件．通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能，从而考察氢处理效果．结果表明，采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷态．在优化氢处理时衬底和热丝的温度后，可以把处理时间缩短致30min之内，明显短于其他氢处理技术． (共6页)

关键词:

热丝法氢处理多晶硅锗

学科分类:

TN304.055[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 一般性问题 > 制取方法与设备 > 半导体薄膜技术]

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