一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC／Si功率二极管
刘静 高勇 杨媛 王彩琳
西安理工大学电子工程系,西安710048
摘 要:
将新器件结构与新型半导体材料相结合，提出了一种新型的n^-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型P^＋（SiGeC）-n^- -n^＋异质结功率二极管，并对n区的杂质分布梯度进行了优化．基于MEDICI，给出了该结构的关键物理参数模型，并在此基础上对新结构的设计思路和工作原理进行了全面分析．结果表明，与常规理想欧姆接触结构相比，该新结构在保持快而软反向恢复特性的前提下，反向阻断电压增加了近一倍，而且正向通态特性也有所改善，很好地实现了功率二极管中Qs-Vf-Ir三者的良好折中． (共7页)
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