增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取

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徐静波 尹军舰 张海英 李潇 刘亮 叶甜春

中国科学院微电子研究所,北京100029

摘　　要:

介绍了增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法，并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数．利用ADS软件验证了提参结果，ADS仿真的直流I-V曲线和S参数与实测结果基本吻合．结果表明EEHEMT1模型可以用于提取增强型PHEMT参数，并且具有可操作性．

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