C^＋注入a-SiNx：H的原子化学键合的研究
陈超[1] 刘渝珍[1] 董立军[2] 陈大鹏[2] 王小波[1]
[1]中国科学院研究生院,北京100049 [2]中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜进行C^＋注入，能量为30keV，剂量为2×10^17cm^-2．对C＋注入的SiNx薄膜在800℃的温度下，进行2h的常规炉退火处理．通过XPS，AES的测量得到，经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构．用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析，得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系．
学科分类:
TN304.24[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 材料 > 化合物半导体 > Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体]
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