考虑高指数晶面的体硅腐蚀模拟新CA模型
周再发 黄庆安 李伟华 邓伟
东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096
摘 要:
针对目前体硅腐蚀（硅各向异性腐蚀）的3DCA模型无法引入（211）,（311）,（331）,（411）等较多高密勒指数晶面,模拟精度不高的问题,建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新3D连续CA（元胞自动机）模型.模型可以有效引入（211）,（311）,（331）,（411）等高密勒指数晶面,提高模拟精度.模拟结果与实验结果一致,证明了模型的模拟效果,对体硅腐蚀模拟研究和提高MEMS设计水平具有一定的实用意义. (共6页)
学科分类:
TN40[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 一般性问题]
相关期刊
关注本文的人:
看过本文的人还看过:
cqvip.com