PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响
陈永生[1,2] 汪建华[3] 卢景霄[1] 杨根[1] 郜小勇[1] 杨仕娥[1]
[1]郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室,郑州450052 [2]中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031 [3]武汉化工学院材料科学与工程学院,武汉430073
摘 要:
研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层ZnO时,既使ZnO膜的厚度为50nm,也可有效地抑制H原子对SnO2的还原效应,并在SnO2/ZnO双层膜上制备了转换效率为3.8%的微晶硅薄膜太阳电池. (共4页)
学科分类:
TN305.92[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 溅射]参考文献
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