一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型
曹全君 张义门 张玉明 吕红亮 郭辉 汤晓燕 王悦湖
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
摘 要:
提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.
学科分类:
TN386.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 肖特基势垒栅场效应器件]
相关期刊
关注本文的人:
看过本文的人还看过:
cqvip.com