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ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性

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何欢[1] 秦福文[1] 吴爱民[1] 王叶安[1] 代由勇[2] 姜辛[1] 徐茵[1] 顾彪[1]

[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024 [2]山东大学物理与微电子学院,济南250100

《半导体学报》

2007年第28卷第7期

摘　　要:

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪（SQUID）测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. (共5页)