亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响
郭晶 郭霞 梁庭 顾晓玲 林巧明 沈光地
北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室,北京100022
摘 要:
采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发,研究了两种处理方法对于界面透光性的影响,对键合样品进行了可见光透射谱测试,实验结果表明疏水键合界面对于垂直入射的630nm的光可以获得高达94.7%的透过率,并将键合样品加工成器件进行电致发光（EL）谱测试,实验结果与透射谱测试结果一致.
学科分类:
TN405.96[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 一般性问题 > 制造工艺 > 引线技术]
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