电子电信 >> 半导体学报 >> 2007年28卷7期 >> 摘要

13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件

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吴小帅[1] 杨瑞霞[2] 阎德立[3] 刘岳巍[3] 贾科进[2] 何大伟[1] 杨克武[1]

[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [3]石家庄铁道学院电气分院,石家庄050051

《半导体学报》

2007年第28卷第7期

摘　　要:

经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB. (共3页)