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RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制

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齐海涛[1,2] 李亚丽[2] 张雄文[2] 冯震[2] 商耀辉[2] 郭维廉[1]

[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

《半导体学报》

2007年第28卷第7期

摘　　要:

依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明：在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础. (共5页)