栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响
李梅芝 陈星弼
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054
摘 要:
研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明：温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力. (共6页)
学科分类:
TN432[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型]
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