REBULF LDMOS实验结果及具有部分n＋浮空层结构的分析
段宝兴 黄勇光 张波 李肇基
电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都610054
摘 要:
分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n^＋浮空层的作用,但暴露于表面的n^＋p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了具有部分n^＋浮空层的REBULF LDMOS结构,此结构不但具有降低体内电场的REBULF效应,而且终止于源端体内的n^＋p结解决了文献[10]中的大漏电流问题.分析结果表明,击穿电压较一般RESURF LDMOS结构提高60%以上.
学科分类:
TN432[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型]
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