电子电信 >> 半导体学报 >> 2007年28卷9期 >> 摘要

凹栅AlGaN/GaN HFET

评论推荐

下载全文

张志国[1,2,3] 冯震[1,2] 杨梦丽[1,2] 冯志红[1,2] 默江辉[1,2] 蔡树军[1,2] 杨克武[1,2]

[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]专用集成电路国家级重点实验室,石家庄050051 [3]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

《半导体学报》

2007年第28卷第9期

摘　　要:

研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统测试显示,当工作电压增加到40V,输出功率密度达到11.74W/mm. (共4页)