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单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

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徐静波[1] 张海英[1] 尹军舰[1] 刘亮[1] 李潇[1,2] 叶甜春[1] 黎明[1]

[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]四川大学物理科学与技术学院,成都610064

《半导体学报》

2007年第28卷第9期

摘　　要:

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示：增强型（耗尽型）PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V（-0.5V）,330mS/mm（260mS/mm）,245mA/mm（255mA/mm）,14.9GHz（14.5GHz）和18GHz（20GHz）.利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V. (共4页)