4H-SiC BJT的Early电压分析
韩茹 李聪 杨银堂 贾护军
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
摘 要:
通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利（Early）电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度NC增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiCBJT的Early电压及电流增益的温度特性.
学科分类:
TN325.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按材料分 > 化合物晶体管、砷化镓晶体管]
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