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主管单位:中国科学院
主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
主 编:王守武
地 址:北京912信箱
邮政编码:100083
电 话:010-82304277
电子邮件:cjs@semi.ac.cn
国际标准刊号:ISSN 0253-4177
国内统一刊号:CN 11-1870/TN
邮发代号:2-184
单 价:35
定 价:420
获奖情况
90年获中科院优秀期刊二等奖
92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署全国优秀期刊评比三等奖
97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖
中国期刊方阵“双效”期刊
国外数据库收录
俄罗斯文摘杂志
美国工程索引
美国工程索引
美国化学文摘
美国剑桥科学文摘:电子与通讯文摘
美国剑桥科学文摘:计算机与信息系统文摘
英国物理学、电技术、计算机及控制信息社数据库
本报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新...
更多简介 >>>半导体学报 2007年 第09期目录
研究快报
采用场板和B^+离子注入边缘终端技术的Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管陈刚 李哲洋 柏松 任春江 (1333)
具有容错功能的OLED有源驱动电路李大勇 刘明 Wei Wang (1337)
高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现朱浩波 毛陆虹 余长亮 陈弘达 唐君 (1341)
一种新型的基于无源射频身份识别应答器的电源供给方案贾海珑 倪卫宁 石寅 代伐 (1346)
研究论文
原子量级条件下单晶硅磨削过程中的亚表面损伤郭晓光 郭东明 康仁科 金洙吉 (1353)
一种新型全耗尽双栅MOSFET张国和 邵志标 韩彬 刘德瑞 (1359)
基于802.11a标准的CMOS正交调制器和上变频器李文渊 王志功 毛银伟 (1364)
逐次逼近型模数转换器中的失配校准技术王沛 龙善丽 吴建辉 (1369)
基于最大电源噪声门级模型的遗传算法电源噪声估计田志新 刘勇攀 杨华中 (1375)
铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究闫万珺 谢泉 张晋敏 肖清泉 梁艳 曾武贤 (1381)
掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质 夏艳 王军转 石卓琼 施毅 濮林 张荣 郑有炓 (1388)
InGaN太阳电池转换效率的理论计算 文博 周建军 江若琏 谢自力 陈敦军 姬小利 韩平 (1392)
化学氧化法聚吡咯导电性能与导电机理任丽 张雪峰 王立新 张福强 (1396)
Ag层的厚度对ZnO/Ag/ZnO多层膜性能的影响李俊 闫金良 孙学卿 李科伟 杨春秀 (1402)
溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaN MIS结构C-V特性舒斌 张鹤鸣 王青 黄大鹏 宣荣喜 (1406)
用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料 刘林生 王文新 刘肃 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 (1411)
具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备郭宇锋 李肇基 张波 刘勇 (1415)
凹栅AlGaN/GaN HFET张志国 冯震 杨梦丽 冯志红 默江辉 蔡树军 杨克武 (1420)
单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管徐静波 张海英 尹军舰 刘亮 李潇 叶甜春 黎明 (1424)
具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性乔明 周贤达 段明伟 方健 张波 李肇基 (1428)
4H-SiC BJT的Early电压分析韩茹 李聪 杨银堂 贾护军 (1433)
GaN HEMT器件22元件小信号模型刘丹 陈晓娟 刘新宇 吴德馨 (1438)
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度鲍立 庄奕琪 马晓华 包军林 (1443)
RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型刘军 孙玲玲 文进才 (1448)
静电驱动可调微机械电容方东明 付世 周勇 赵小林 (1454)
Si基SiO2波导芯层热应力的理论研究黄华茂 黄德修 刘文 (1459)
SU-8胶深紫外光刻模拟冯明 黄庆安 李伟华 周再发 朱真 (1465)
CMOS超高频整流器周盛华 吴南健 (1471)
一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路叶强 来新泉 代国定 王辉 许录平 (1477)
单片集成的高性能压阻式三轴高g加速度计的设计、制造和测试董培涛 李昕欣 张鲲 吴学忠 李圣怡 封松林 (1482)
一种用于14bit 50MHz流水线模数转换器的CMOS采样开关胡晓宇 周玉梅 (1488)
无
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华南师范大学光电子材料与技术研究所 广州市LED工业研究开发基地 (F0004)
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