双极场引晶体管：Ⅰ.电化电流理论（双MOS栅纯基）
薩支唐[1,2,3] 揭斌斌[3]
[1]中国科学院外籍院士,北京100864 [2]佛罗里达大学,佛罗里达州,Gainesville 32605,美国 [3]北京大学,北京100871
摘 要:
本文描述双极场引晶体管（BiFET）及其理论．把两维晶体管分解成两个一维晶体管，得到解析方程．以表面势为参变量，采用电化（准费米）势梯度驱动力计算电流．提供实用电极直流电压及器件参数范围，随直流电压变化，输出和转移电流和电导．电子和空穴表面沟道同时存在，这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路． (共13页)
学科分类:
TN386.1[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件]
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