高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成

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摘　　要:

借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布．即使经过1650℃的高温退火，钒在碳化硅中的再扩散也不显著．退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象，由于缺少钒的补偿作用，表面薄层的自由载流子浓度保持不变．采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻，在1050℃下，在氮、氢混合气体中退火10min，形成的最低比接触电阻为4．4×10^-3Ω·cm^2．金属化退火后的XRD分析结果表明，镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相．观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成，同时在碳化硅表面形成C空位．C空位可以提高有效载流子浓度，降低势垒高度并减小耗尽层宽度，对最终形成欧姆接触起到了关键作用．