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电子电信 >> 半导体学报 >> 2007年28卷11期 >> 摘要

一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

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刘亮 张海英 尹军舰 李潇 徐静波 宋雨竹 刘训春

中国科学院微电子研究所,北京100029

半导体学报

《半导体学报》

2007年第28卷第11期

摘　　要:

采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内的电子密度分布．与一些传统方法相比，该方法收敛性更好，速度更快，且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟．利用仿真对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究． (共6页)

关键词:

InP InGaAs／InP 复合沟道高电子迁移率晶体管模拟

学科分类:

TN302[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 设计与计算]

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