纳米尺度双栅MOS器件反型层电荷的集约建模
李萌 余志平
清华大学微电子学研究所,北京100084
摘 要:
建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型．该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应，使其适用于纳米尺度的器件应用．基于以前关于Ge的研究，通过建立关于Qi的表面势表达式，可得到一个隐含Qi的方程，从而求得Qi的值．将该模型计算结果与目前已发表的模型计算结果以及自洽求解一维泊松方程和薛定锷方程的数值模拟程序Schred的模拟结果进行了比较．结果表明，该模型在较大的硅层厚度变化范围内均与数值模拟程序的计算结果吻合得很好，显示出其相对与目前发表的其他模型的优越性． (共5页)
学科分类:
TN386.1[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件]参考文献
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