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MOCVD制备InN薄膜的光学性质

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孔洁莹[1] 张荣[1] 刘斌[1] 谢自力[1] 张勇[2] 修向前[1] 郑有炓[1]

[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093 [2]南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京210093

《半导体学报》

2007年第28卷第11期

摘　　要:

利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段，对采用金属有机物气相沉积法（MOCVD）制备的InN薄膜的光学性质进行了系统研究．吸收光谱和光致发光谱的结果清晰地证明了高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0．68eV，接近于现阶段主要报道值0．7eV．喇曼散射光谱实验说明窄光学带隙主要源于较低的背景电子浓度．利用椭圆偏振光谱不仅得到了纤锌矿InN临界点跃迁能量的值E。，同时首次得到了在0．65～4．0eV能量范围内复折射率实部n，虚部k的色散曲线． (共4页)