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p＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

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吴小利[1,2] 王妮丽[1] 张可峰[1,2] 唐恒敬[1,2] 黄翌敏[1,2] 韩冰[1,2] 李雪[1] 龚海梅[1]

[1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100049

《半导体学报》

2007年第28卷第11期

摘　　要:

采用微波反射光电导衰减法测量了P^＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布，通过对非平衡载流子浓度在P^＋n结中衰减过程的分析，建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系，并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为． (共4页)

关键词:

铟镓砷双异质结微波反射光电导衰退

学科分类:

TN21[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 红外技术及仪器]

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