等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理
李诚瞻 庞磊 刘新宇 黄俊 刘键 郑英奎 和致经
中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究．实验表明，凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上，击穿电压有一定程度的下降．利用AFM和XPS的方法分析A1GaN表面，等离子体干法刻蚀增加了A1GaN表面粗糙度，甚至出现部分尖峰状突起，增大了栅金属与A1GaN的接触面积；另一方面，等离子体轰击使A1GaN表面出现一定量的N空位，相当于栅金属与Al-GaN接触界面处出现n型掺杂层，使肖特基结的隧道效应加强，降低了肖特基势垒．由此表明，A1GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因． (共5页)
学科分类:
TN325.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按材料分 > 化合物晶体管、砷化镓晶体管]
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