半导体学报

月刊1980-01-01年创刊
16开

获奖情况

90年获中科院优秀期刊二等奖

92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署全国优秀期刊评比三等奖

97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖

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技术进展

双极场引晶体管：Ⅰ.电化电流理论（双MOS栅纯基）薩支唐 揭斌斌 (1661)

研究快报

fmax为30．8GHz的超薄AI2O3绝缘栅GaNMOS-HEMT器件郝跃 岳远征 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 (1674)

用于PDP扫描驱动芯片的低成本VDMOS及其兼容工艺李小明 庄奕琪 张丽 辛维平 (1679)

适合宽范围电容负载的三级运放胡晶晶 Huijsing J H 任俊彦 (1685)

用于超外差接收机的低压、低功耗高动态范围CMOS线性可变增益放大器董桥 耿莉 邵志标 (1690)

一种无源UHFRFID电子标签验证开发平台陈力颖 侯春萍 毛陆虹 吴顺华 徐振梅 王振兴 (1696)

研究论文

高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成王超 张义门 张玉明 郭辉 徐大庆 王悦湖 (1701)

一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法刘亮 张海英 尹军舰 李潇 徐静波 宋雨竹 刘训春 (1706)

一个连续且解析的S01LDMOS表面势模型徐文杰 孙玲玲 刘军 李文钧 张海鹏 吴颜明 何佳 (1712)

纳米尺度双栅MOS器件反型层电荷的集约建模李萌 余志平 (1717)

周期性多孔低介电常数材料机械特性的表面波测量模型李志国 姚素英 肖夏 白茂森 (1722)

准静态单相能量回收逻辑李舜 周锋 陈春鸿 陈华 吴一品 (1729)

用于高精度∑-△数模转换的多级插值滤波器的设计技术陈润 刘力源 李冬梅 (1735)

基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺 乔明 肖志强 方健 郑欣 周贤达 徐静 何忠波 (1742)

低能入射Si与Si（001）2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟朱林山 金石声 苟富均 谢泉 (1748)

ZnO／Si（111）界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究赵朝阳 李锐鹏 孙柏 徐彭寿 张国斌 潘国强 (1756)

MOCVD制备InN薄膜的光学性质孔洁莹 张荣 刘斌 谢自力 张勇 修向前 郑有炓 (1761)

重碳掺杂P型GaAsSb的GSMBE生长及其特性孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 (1765)

p＋-InP／n-InGaAs／n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析 吴小利 王妮丽 张可峰 唐恒敬 黄翌敏 韩冰 李雪 (1769)

X波段高输出功率凹栅AIGaN／GaN HEMT 冯震 张志国 王勇 默江辉 宋建博 冯志红 蔡树军 (1773)

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理李诚瞻 庞磊 刘新宇 黄俊 刘键 郑英奎 和致经 (1777)

PZT铁电场效应晶体管电学性能蔡道林 李平 翟亚红 张树人 (1782)

RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型刘军 孙玲玲 李文钧 钟文华 吴颜明 何佳 (1786)

一种用于提取超大规模集成电路电容的新型库查找法赵鹏 张杰 陈抗生 王浩刚 (1794)

高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵 王青 曹玉莲 何国荣 韦欣 渠红伟 宋国峰 马文全 (1803)

基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器 吕吉贺 黄辉 任晓敏 苗昂 李轶群 王睿 黄永清 (1807)

表面处理对P-GaN欧姆接触的影响郭德博 梁萌 范曼宁 师宏伟 刘志强 王国宏 王良臣 (1811)

n-GaAs和P-GaN晶片的直接键合李慧 何国荣 渠红伟 石岩 种明 曹玉莲 陈良惠 (1815)

亚65nm工艺新型P结构多米诺与门设计汪金辉 宫娜 冯守博 段丽莹 侯立刚 吴武臣 董利民 (1818)

基于动态元件匹配的CMOS集成温度传感器设计江海 吕坚 徐建华 蒋亚东 (1824)

一种基于MEMS工艺的二维风速传感器的设计沈广平 吴剑 张骅 秦明 黄庆安 (1830)

一个应用于PHS系统的低噪声低功耗全数控LC振荡器王少华 于光明 刘勇攀 杨华中 (1836)

Members of Overseas of Chinese Journal Advisory Committee of Semiconductors (1844)

投稿须知 (1846)

无

北京邮电大学半导体低维量子结构材料研究组 (F0004)