干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征

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摘　　要:

SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台，通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×10^5cm^-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层，通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制。 (共4页)