双极场引晶体管：Ⅳ.短沟道飘移扩散理论（双MOS栅纯基）
揭斌斌[1] 薩支唐[1,2,3]
[1]北京大学,北京100871 [2]佛罗里达大学,佛罗里达州,Gainesville FL32605,美国 [3]中国科学院外籍院士,北京100864
摘 要:
本文描述双极场引晶体管（BiFET）短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（ MOS）栅.用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量,电子沟道与空穴沟道飘移扩散分量,和两区电学长度.描述两区短沟道理论相对一区长沟道理论偏差. (共8页)
学科分类:
TN386.1[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件]
相关期刊
关注本文的人:
看过本文的人还看过:
cqvip.com