学术
一种用于功率IC的新型SPICE宏模型
赵野[1] 周玉梅[1] 李海松[2] 孙伟锋[2]
[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]东南大学国家专用集成电路与系统工程技术研究中心,南京210096
国际标准刊号：ISSN 0253-4177
国内统一刊号：CN 11-1870
摘 要:
基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规范化分段线性模型的最佳系数,从而利用节点电压可以直接描述DMOS器件的各种非线性特性.该模型不仅准确性高,而且仿真速度快、收敛性好.最后,给出了仿真与测试的对比结果,证明了模型的有效性和准确性.[著者文摘]
文章出处:
《半导体学报》-2008年29卷2期 -229-233页
Chinese Journal of Semiconductors
栏目信息:
分 类 号:
文献标识码:
A
文章编号:
0253-4177（2008）02-0229-05
A Novel SPICE Macro-Model for Power ICs
Zhao Ye, Zhou Yumei, Li Haisong, Sun Weifeng （1 Institute of Microelectronies, Chinese Academy of Sciences, Belling 100029, China ;2 National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China）
Abstract:
A novel macro-model of high-voltage DMOS for power ICs is proposed according to the canonical piecewiselinear model technique. The method describes nonlinear characteristics directly as functions of node voltage. We employ the Powell algorithm, which gives higher accuracy without the convergence problem and with lower analysis time. Finally, a Comparison of simulation results and measurement results in application to power ICs is reported.[著者文摘]
Key words:
power IC; SPICE; macro-model; DMOS
收稿日期: 2007-09-03
修订日期: 2007-10-08
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