SEU加固存储单元中的多节点翻转

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刘必慰[1] 郝跃[2] 陈书明[1]

[1]国防科技大学计算机学院,长沙410073 [2]西安电子科技大学,西安710071

摘　　要:

使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转（multiple node upset ,MNU）问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU（multiple bit upset） ,发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法. (共7页)

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