半导体学报

月刊1980-01-01年创刊
16开

获奖情况

90年获中科院优秀期刊二等奖

92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署全国优秀期刊评比三等奖

97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖

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技术进展

双极场引晶体管：Ⅳ.短沟道飘移扩散理论（双MOS栅纯基）揭斌斌 薩支唐 (193)

研究快报

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法丁武昌 徐学俊 成步文 左玉华 余金中 王启明 (201)

钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理王超 张义门 张玉明 王悦湖 徐大庆 (206)

氨化Si基Ga2O3/Co薄膜合成GaN纳米线及其表征秦丽霞 薛成山 庄惠照 杨兆柱 陈金华 李红 (210)

高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法孙伟锋 吴虹 时龙兴 易扬波 李海松 (214)

一种新型的基于滑膜阻尼的电容式双向MEMS惯性传感器董林玺 颜海霞 钱忺 孙玲玲 (219)

一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器李志强 陈立强 张健 张海英 (224)

一种用于功率IC的新型SPICE宏模型赵野 周玉梅 李海松 孙伟锋 (229)

研究论文

流体静压力下应变闪锌矿（111）取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能哈斯花 班士良 (234)

钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光王超 张义门 张玉明 王悦湖 徐大庆 (240)

SEU加固存储单元中的多节点翻转刘必慰 郝跃 陈书明 (244)

一种4·224GHz正交压控振荡器的设计李志升 李巍 李宁 (251)

80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的ΣΔ调制器杨培 殷秀梅 杨华中 (256)

光接收机用0·5mV高灵敏度带有接收信号强度指示的200Mbps CMOS限幅放大器王蓉 王志功 徐建 管志强 (262)

增益提高型套筒式全差分跨导放大器的设计与分析姚志健 马成炎 叶甜春 莫太山 (269)

一种适用于DC-DC变换器的新型混合式数字脉宽调制器陈华 李舜 牛祺 周锋 (275)

一种DC-DC全区间分段线性斜坡补偿电路设计叶强 来新泉 李演明 袁冰 陈富吉 (281)

一种用于降低环振型ADC的温度影响的新型技术李舜 陈华 周锋 (288)

一种用于UHF RFID的低压高效电源产生电路庞则桂 庄奕琪 李小明 李俊 (293)

基于整体退火遗传算法的低功耗极性转换汪鹏君 陆金刚 陈恳 徐建 (298)

基于工艺参数扰动的随机互连线时延分析李鑫 Janet M．Wang 唐卫清 吴慧中 (304)

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响郑卫民 宋淑梅 吕英波 王爱芳 陶琳 (310)

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 周志文 蔡志猛 张永 蔡坤煌 周笔 林桂江 汪建元 (315)

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究范会涛 张彤 漆奇 刘丽 (319)

基于共振隧穿二极管的应力检测方法熊继军 毛海央 张文栋 薛晨阳 (324)

钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响李诚瞻 刘丹 郑英奎 刘新宇 刘键 魏珂 和致经 (329)

陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响吕红亮 张义门 张玉明 车勇 王悦湖 (334)

双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析高勇 孙立伟 杨媛 刘静 (338)

全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性成建兵 张波 李肇基 (344)

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真王浩 胡冬青 吴郁 周文定 亢宝位 (348)

微波和高温器件的一种空气桥互连方法林若兵 魏巍 冯倩 王冲 郝跃 (352)

SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究 董雷 张瑞康 王定理 张靖 陈磊 江山 赵圣之 (356)

UHF平衡式宽带20W功率放大器黄清华 郝明丽 王宇晨 张宗楠 刘训春 (361)

用于DTMB接收机的10bit,40MS/s,72dB SFDR流水线模数转换器殷秀梅 魏琦 杨斌 杨华中 (366)

智能光模块中可变阈值的信号丢失检测电路王蓉 王志功 徐建 吴俊 管志强 (371)

DES芯片抵御高阶差分功耗分析攻击方法研究李海军 马光胜 刘晓晓 (376)

芯片的EOS失效分析及焊接工艺优化吴顶和 沈萌 邵雪峰 俞宏坤 (381)

基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络梁艳 靳东明 (387)

无

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