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钝化与场板结构对AlGaN／GaN HEMT电流崩塌的影响
马香柏 张进城 郭亮良 冯倩 郝跃 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071第1页
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| 《半导体学报》2007年 第1期 | 摘要：由于AlGaN／GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应，栅漏区域的电场很大，以至于电子可以从栅隧穿到AlGaN表面．隧穿的电子在表面累积，导致栅下耗尽区的电子向漏端延伸，从而引起漏极电流的下降．文中采用应力测试方法，研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN／GaNHEMT的电流崩塌程度．实验结果表明，钝化隔断了电子从栅隧穿到AlGaN表面的通道，场板结构能够有效降低栅边缘电场，均减少了电子从栅隧穿到表面陷阱的几率，从而使虚栅的作用减弱，有效地抑制了电流崩塌效应． | |
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| 格式：PDF 页数：5 页 页码范围：73-77页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：电流崩塌 钝化 场板结构 | ||
| 来源期刊：《半导体学报》2007年 第1期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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