AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

评论推荐

雷勇波 赵北君 朱世富 陈宝军 谭波 吴小娟 黄毅

四川大学材料科学系,成都610064

摘　　要:

研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min,镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层。用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少。 (共4页)

相关文章:

主题相关 参考文献(6篇)　

参考文献

更多文章搜索　
中国业务群个人门户,免费下载!
征稿启事
相关文章+更多
社区热帖+更多
天元数据 维普资讯 版权所有 Copyright © 2001-2008 cqvip.com Inc. All rights reserved.
渝ICP证 B2-20050021　　违法和不良信息举报中心
建议使用：1024x768分辨率，16位以上颜色