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掺铒近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱性质

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高磊[1] 王继扬[2] 刘宏[2] 姚淑华[2] 吴剑波[3] 秦小勇[3]

[1]中国石油大学（北京）数理系,北京102249 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [3]中电科技德清华莹电子有限公司,德清313200

《人工晶体学报》

2008年第37卷第1期

摘　　要:

利用提拉法,在富锂熔体中生长了质量良好的掺铒近化学计量比铌酸锂单晶,生长的晶体尺寸为φ35×25mm,测量了晶体的室温吸收谱,并根据Judd-Ofelt理论,拟合出晶体场唯象强度参数：Ω2=5.37×10^-20cm^2,Ω4=2.98×10^-20cm^2,Ω6=1.92×10^-20cm2。计算了各能级的跃迁辐射几率AJ,J＇,振子强度PJ,J＇,辐射寿命τ,荧光分支比βJ＇等,并根据这些光学参量讨论了该晶体的部分性能和应用前景。 (共5页)