射频磁控溅射工艺制备二氧化钒薄膜

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唐振方[1] 赵健[1] 卫红[2] 张正法[1]

[1]暨南大学物理系,广州510632 [2]广州市光机电工程研究开发中心,广州510635

摘　　要:

以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜。采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态。结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94%原子分数。 (共5页)

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