射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化
金冬月 张万荣 谢红云 沈珮 王扬
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022
摘 要:
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响，从热电反馈网络出发，阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义．在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性（△EV）、重掺杂效应（△Eg）、基极和发射极加入镇流电阻（RB和RE）等因素的情况下，给出了功率HBT自热完全补偿（S=0）所需最小镇流电阻（RC）表达式．结果表明，在△EV＋△Eg〉2kT时，HBT工作温度T越大，RC反而越小．由于RC的减小，功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率． (共5页)
学科分类:
TN322.8[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按性能分 > 双极性晶体管]
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