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自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

孙剑[1,2] 白亦真[1,2] 杨天鹏[3] 孙景昌[2] 杜国同[2,3]

[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁省大连116023 [2]大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁省大连116023 [3]吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春130012

《吉林大学学报：理学版》

2007年第45卷第5期

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摘　　要:

采用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）两步生长法在自持化学气相沉积（CVD）金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜，并研究了薄膜的生长特性和电学特性．结果表明，在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀，取向较一致，为C轴取向生长．其载流子迁移率为3．79cm^2／（V·s）． (共5页)

关 键 词:

声表面波滤波器 金刚石 ZnO薄膜 金属有机化合物气相沉积

学科分类:

O484.5[数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 薄膜物理学 > 薄膜测量与分析]

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