石英光纤端面的化学机械抛光实验研究
顾欣 张晨辉 雒建斌 路新春
清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084
摘 要:
将化学机械抛光（CMP）技术引入光纤端面的加工过程并设计其抛光工艺，探讨了抛光垫和抛光液的类型、浓度及抛光压力、抛光盘的转速及抛光液的流速等参数对抛光性能的影响，设定了两步抛光的优选工艺．结果表明：在颗粒浓度为1％～2％，抛光液流速为100～150mL／min，压力小于20．64kPa，抛光盘转速90r／min的条件下，可以得到较高的材料去除率和良好的抛光表面质量，其表面粗糙度Ra值可达0．326nm．
学科分类:
TH117.3[工业技术 > 机械、仪表工业 > 机械学（机械设计基础理论） > 机械摩擦、磨损与润滑]
相关期刊
关注本文的人:
看过本文的人还看过:
cqvip.com